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用XRD、IR和TPR等技术研究了钙钛矿型复合氧化物的晶体结构及其反应性能.整个组成范围内,LaNi_(i-x)Mn_xO_3(0.0≤x≤1.0)体系都生成单一钙钛矿相;x=0.0,0.6≤X≤1.0时为菱形晶系,0.2≤x≤0.5为立方晶系.IR和TPR研究表明,晶体结构对B—O键合作用存在较大影响.CO微反考察表明,本体系的催化活性与晶系存在密切关系,晶体对称性越高,反应活性越低.说明钙钛矿型复合氧化物的催化活性与体系活性中心的B—O键合作用能力有关. 相似文献
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P. C. Morais A. C. Oliveira V. K. Garg M. L. Silva E. F. C. Alcântara F. Q. Soares D. Rabelo 《Hyperfine Interactions》2007,177(1-3):51-56
We have used time-differential perturbed angular correlation (PAC) spectroscopy with 181Ta-probes to study the electric field gradient at Zr-sites in synthetic zircon and hafnon between room temperature and 1,200°C. PAC spectra are similar to those obtained from naturally occurring zircons. In particular, a change in slope of the quadrupole coupling vs. temperature is observed in the synthetic zircon at the same temperature as seen in natural zircons from the Mud Tank carbonatite (Australia). The synthetic hafnon data also shows this feature but at somewhat higher temperature. Low-temperature PAC spectra of both synthetic zircon and hafnon have a clearly reduced anisotropy. We believe that the cause for this is a electronic defect, possibly created during the β-decay of the probe parent nucleus. 相似文献
93.
Q. Gong R. N tzel P.J. van Veldhoven T.J. Eijkemans J.H. Wolter 《Journal of Crystal Growth》2005,280(3-4):413-418
We report on the shape transition from InAs quantum dashes to quantum dots (QDs) on lattice-matched GaInAsP on InP(3 1 1)A substrates. InAs quantum dashes develop during chemical-beam epitaxy of 3.2 monolayers InAs, which transform into round InAs QDs by introducing a growth interruption without arsenic flux after InAs deposition. The shape transition is solely attributed to surface properties, i.e., increase of the surface energy and symmetry under arsenic deficient conditions. The round QD shape is maintained during subsequent GaInAsP overgrowth because the reversed shape transition from dot to dash is kinetically hindered by the decreased ad-atom diffusion under arsenic flux. 相似文献
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Q.-Y. Shao A.-D. Li J.-B. Cheng H.-Q. Ling D. Wu Z.-G. Liu N.-B. Ming C. Wang H.-W. Zhou B.-Y. Nguyen 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2005,81(6):1181-1185
LaAlO3 (LAO) gate dielectric films were deposited on Si substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. The interfacial structure and composition distribution were investigated by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), secondary-ion mass spectroscopy (SIMS), and Auger-electron spectroscopy (AES). HRTEM confirms that there exists an interfacial layer between LAO and Si in most samples. AES, SIMS, and XPS analyses indicate that the interfacial layer is compositionally graded La–Al silicate and the Al element is severely deficient close to the Si surface. Electrical properties of LAO films were evaluated. No evident difference in electrical properties between samples with and without native SiO2 layers was observed. The electrical properties are discussed in terms of LAO growth mechanisms, in relation to the interfacial structure. PACS 73.40.Qv; 81.15.Gh; 77.55.+f; 68.35.-p 相似文献
95.
96.
小孔阵列衍射特性与应用 总被引:5,自引:4,他引:1
以单色标量波衍射理论为基础,研究了均匀平面波从不同角度入射小孔阵列的衍射特性。运用单孔衍射理论,同时考虑相邻小孔间衍射光强的相互影响,建立了小孔阵列衍射的理论模型和光强分布的数值积分式,小孔为硬边小孔。利用Matlab对500 nm波长的平面波入射微小方孔阵列衍射图样进行了计算机仿真,得到了不同几何参量下平面波从不同角度入射时的衍射图样的一维和二维光强分布图,并将仿真结果用于微型数字式太阳敏感器的光学系统中的结构参量设计和图像处理中的参量确定。太阳敏感器的成像实验结果表明,小孔阵列衍射光强分布图的仿真结果正确、太阳敏感器光学系统参量设计合理。小孔阵列衍射理论为太阳敏感器的光学系统设计和图像处理提供了可靠的理论基础。 相似文献
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We study the domain of existence of a solution to a Riemann problem for the pressure gradient equation in two space dimensions. The Riemann problem is the expansion of a quadrant of gas of constant state into the other three vacuum quadrants. The global existence of a smooth solution was established in Dai and Zhang [Z. Dai, T. Zhang, Existence of a global smooth solution for a degenerate Goursat problem of gas dynamics, Arch. Ration. Mech. Anal. 155 (2000) 277-298] up to the free boundary of vacuum. We prove that the vacuum boundary is the coordinate axes. 相似文献
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99.
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